Оперативная память

2 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR5 SO-DIMM по 8 ГБ, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3333 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14-34, напряжение 1.35 В

2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 SO-DIMM по 16 ГБ, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 18-19-19, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 4400 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 5000 МГц, CL 19T, тайминги 19-28-28, напряжение 1.55 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-21-21, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1066 МГц, CL 7T, тайминги 7-7-7-20, напряжение 1.5 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В