Оперативная память

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR2 DIMM Registered по 8 ГБ, частота 667 МГц, CL 5T, напряжение 1.8 В

16 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-17-17-36, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 4 модуля DDR DIMM Registered по 2 ГБ, частота 200 МГц, CL 2T

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В

2 ГБ, 1 модуль DDR2 DIMM, частота 667 МГц, CL 5T, напряжение 1.8 В

16 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В