Оперативная память

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-27, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1066 МГц, CL 7T, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-40, напряжение 1.2 В

2 ГБ, 1 модуль DDR2 SO-DIMM, частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1866 МГц, CL 13T, тайминги 13-13-13, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-39, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.25 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В