Оперативная память

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В

2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В