250 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 МБайт/с, случайный доступ: 97000/88000 IOps, DRAM-буфер
| Общая информация | |
|---|---|
| Дата выхода на рынок | 2018 | Основные |
| Объём | 250 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Samsung MJX |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 150 TBW | Технические характеристики |
| Скорость последовательного чтения | 550 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 520 Мбайт/с |
| Кэш | DRAM-буфер |
| Средняя скорость случайного чтения | 97000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 88000 IOps |
| Аппаратное шифрование | ✔️ |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 2.2 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.05 Вт |
Отзывов пока нет!