512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 100000/90000 IOps, DRAM-буфер
| Общая информация | |
|---|---|
| Дата выхода на рынок | 2018 | Основные |
| Объём | 512 ГБ |
| Форм-фактор | 2.5 |
| Интерфейс | SATA 3.0 |
| Тип микросхем | 3D MLC NAND |
| Контроллер | Samsung MJX |
| Ресурс записи | 600 TBW | Технические характеристики |
| Скорость последовательного чтения | 560 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 530 Мбайт/с |
| Кэш | DRAM-буфер |
| Средняя скорость случайного чтения | 100000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 90000 IOps |
| Охлаждение | Нет |
| Подсветка | ❌ |
| Аппаратное шифрование | ✔️ |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 2 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.002 Вт |
| Толщина | 6.8 мм |
Отзывов пока нет!