512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 МБайт/с, случайный доступ: 370000/500000 IOps, DRAM-буфер
| Общая информация | |
|---|---|
| Дата выхода на рынок | 2018 | Основные |
| Объём | 512 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем | 3D MLC NAND |
| Контроллер | Samsung Phoenix |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 600 TBW | Технические характеристики |
| Скорость последовательного чтения | 3500 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 2300 Мбайт/с |
| Кэш | DRAM-буфер |
| Средняя скорость случайного чтения | 370000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 500000 IOps |
| Охлаждение | Нет |
| Подсветка | ❌ |
| Аппаратное шифрование | ✔️ |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 5.2 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.03 Вт |
Отзывов пока нет!