512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/800000 IOps, SLC-кэш
Общая информация | |
---|---|
Дата выхода на рынок | 2021 | Основные |
Объём | 512 ГБ |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 4.0 x4 |
Тип микросхем | 3D TLC NAND |
Контроллер | Samsung Elpis |
Размеры устройств M.2 | 2280 | Технические характеристики |
Скорость последовательного чтения | 6900 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи | 5000 Мбайт/с |
Кэш | SLC-кэш |
Средняя скорость случайного чтения | 800000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 800000 IOps |
Охлаждение | Нет |
Подсветка | ❌ |
Аппаратное шифрование | ✔️ |
Отзывов пока нет!