480 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/565 МБайт/с, случайный доступ: 205000/20000 IOps, DRAM-буфер
Общая информация | |
---|---|
Дата выхода на рынок | 2020 | Основные |
Объём | 480 ГБ |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Тип микросхем | 3D TLC NAND |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Ресурс записи | 475 TBW | Технические характеристики |
Скорость последовательного чтения | 3200 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи | 565 Мбайт/с |
Кэш | DRAM-буфер |
Средняя скорость случайного чтения | 205000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 20000 IOps |
Охлаждение | Нет |
Подсветка | ❌ |
Энергопотребление (чтение/запись) | 5.47 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 1.9 Вт |
Отзывов пока нет!