256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/1290 МБайт/с, случайный доступ: 100000/350000 IOps, DRAM-буфер
| Основные | |
|---|---|
| Объём | 256 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем | 3D TLC NAND |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 150 TBW | Технические характеристики |
| Скорость последовательного чтения | 3100 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 1290 Мбайт/с |
| Кэш | DRAM-буфер |
| Средняя скорость случайного чтения | 100000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 350000 IOps |
| Охлаждение | Нет |
| Подсветка | ❌ |
| Совместимость с PS5 | ❌ |
| Аппаратное шифрование | ❌ |
| Толщина | 3.75 мм |
Отзывов пока нет!