120 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1900/650 МБайт/с, случайный доступ: 100000/80000 IOps
| Общая информация | |
|---|---|
| Дата выхода на рынок | 2019 | Основные |
| Объём | 120 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Silicon Motion SM2263XT |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 70 TBW | Технические характеристики |
| Скорость последовательного чтения | 1900 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 650 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 100000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 80000 IOps |
| Охлаждение | Нет |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 2.46 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.68 Вт |
Отзывов пока нет!