256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/800 МБайт/с, случайный доступ: 110000/95000 IOps
| Общая информация | |
|---|---|
| Дата выхода на рынок | 2018 | Основные |
| Объём | 256 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем | 3D TLC NAND |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 100 TBW | Технические характеристики |
| Скорость последовательного чтения | 1600 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 800 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 110000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 95000 IOps |
| Охлаждение | Нет |
Отзывов пока нет!