256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3210/1315 МБайт/с, случайный доступ: 205000/265000 IOps, DRAM-буфер
Общая информация | |
---|---|
Дата выхода на рынок | 2018 | Основные |
Объём | 256 ГБ |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Тип микросхем | 3D TLC NAND |
Контроллер | Silicon Motion SM2262 |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Ресурс записи | 144 TBW | Технические характеристики |
Скорость последовательного чтения | 3210 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи | 1315 Мбайт/с |
Кэш | DRAM-буфер |
Средняя скорость случайного чтения | 205000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 265000 IOps |
Охлаждение | Нет |
Подсветка | ❌ |
Аппаратное шифрование | ✔️ |
Энергопотребление (чтение/запись) | 0.05 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 0.025 Вт |
Отзывов пока нет!