512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1500/1000 МБайт/с, случайный доступ: 90000/220000 IOps
| Общая информация | |
|---|---|
| Дата выхода на рынок | 2018 | Основные |
| Объём | 512 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем | 3D QLC NAND |
| Контроллер | Silicon Motion SM2263 |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 100 TBW | Технические характеристики |
| Скорость последовательного чтения | 1500 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 1000 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 90000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 220000 IOps |
| Охлаждение | Нет |
| Подсветка | ❌ |
| Аппаратное шифрование | ✔️ |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 4 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.04 Вт |
| Толщина | 2.38 мм |
Отзывов пока нет!