256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3350/1150 МБайт/с, случайный доступ: 220000/290000 IOps
Общая информация | |
---|---|
Дата выхода на рынок | 2019 | Основные |
Объём | 256 ГБ |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Тип микросхем | 3D TLC NAND |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Ресурс записи | 160 TBW | Технические характеристики |
Скорость последовательного чтения | 3350 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи | 1150 Мбайт/с |
Средняя скорость случайного чтения | 220000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 290000 IOps |
Охлаждение | Да |
Подсветка | ❌ |
Аппаратное шифрование | ❌ |
Энергопотребление (чтение/запись) | 0.33 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 0.14 Вт |
Толщина | 3.5 мм |
Отзывов пока нет!