250 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/1500 МБайт/с, случайный доступ: 200000/350000 IOps, DRAM-буфер
| Общая информация | |
|---|---|
| Дата выхода на рынок | 2018 | Основные |
| Объём | 250 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Samsung Phoenix |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 150 TBW | Технические характеристики |
| Скорость последовательного чтения | 3400 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 1500 Мбайт/с |
| Кэш | DRAM-буфер |
| Средняя скорость случайного чтения | 200000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 350000 IOps |
| Охлаждение | Нет |
| Аппаратное шифрование | ✔️ |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 4.2 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.03 Вт |
Отзывов пока нет!