512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2300 МБайт/с, случайный доступ: 390000/380000 IOps
| Общая информация | |
|---|---|
| Дата выхода на рынок | 2018 | Основные |
| Объём | 512 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Silicon Motion SM2262EN |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 320 TBW | Технические характеристики |
| Скорость последовательного чтения | 3500 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 2300 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 390000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 380000 IOps |
| Охлаждение | Да |
| Подсветка | ❌ |
| Аппаратное шифрование | ❌ |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 0.33 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.14 Вт |
| Толщина | 6.1 мм |
Отзывов пока нет!