512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.2.1), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1600 МБайт/с, случайный доступ: 240000/210000 IOps
| Основные | |
|---|---|
| Объём | 512 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем | 3D TLC NAND |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 150 TBW | Технические характеристики |
| Скорость последовательного чтения | 3000 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 1600 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 240000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 210000 IOps |
| Охлаждение | Нет |
| Аппаратное шифрование | ❌ |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 6 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.3 Вт |
Отзывов пока нет!