512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1500/1000 МБайт/с, случайный доступ: 90000/220000 IOps
Общая информация | |
---|---|
Дата выхода на рынок | 2018 | Основные |
Объём | 512 ГБ |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Тип микросхем | 3D QLC NAND |
Контроллер | Silicon Motion SM2263 |
Размеры устройств M.2 | 2280 | Технические характеристики |
Скорость последовательного чтения | 1500 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи | 1000 Мбайт/с |
Средняя скорость случайного чтения | 90000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 220000 IOps |
Охлаждение | Нет |
Аппаратное шифрование | ✔️ |
Энергопотребление (чтение/запись) | 0.1 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 0.04 Вт |
Отзывов пока нет!