512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2200 МБайт/с, случайный доступ: 190000/296000 IOps
| Общая информация | |
|---|---|
| Дата выхода на рынок | 2021 | Основные |
| Объём | 512 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем | 3D TLC NAND |
| Размеры устройств M.2 | 2280 |
| Ресурс записи | 300 TBW | Технические характеристики |
| Скорость последовательного чтения | 3200 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 2200 Мбайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения | 190000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 296000 IOps |
| Охлаждение | Нет |
| Подсветка | ❌ |
| Аппаратное шифрование | ❌ |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 2.87 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 1.03 Вт |
| Толщина | 6.7 мм |
Отзывов пока нет!