512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/2800 МБайт/с
Общая информация | |
---|---|
Дата выхода на рынок | 2019 | Основные |
Объём | 512 ГБ |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Тип микросхем | 3D TLC NAND |
Размеры устройств M.2 | 2280 | Технические характеристики |
Скорость последовательного чтения | 3100 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи | 2800 Мбайт/с |
Охлаждение | Нет |
Подсветка | ❌ |
Аппаратное шифрование | ❌ |
Энергопотребление (чтение/запись) | 4.1 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 0.003 Вт |
Толщина | 2.23 мм |
Отзывов пока нет!