512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3100/2800 МБайт/с
| Общая информация | |
|---|---|
| Дата выхода на рынок | 2019 | Основные |
| Объём | 512 ГБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем | 3D TLC NAND |
| Размеры устройств M.2 | 2280 | Технические характеристики |
| Скорость последовательного чтения | 3100 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 2800 Мбайт/с |
| Охлаждение | Нет |
| Подсветка | ❌ |
| Аппаратное шифрование | ❌ |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 4.1 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 0.003 Вт |
| Толщина | 2.23 мм |
Отзывов пока нет!
