1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.1), контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/1900 МБайт/с, случайный доступ: 380000/360000 IOps, DRAM-буфер
| Основные | |
|---|---|
| Объём | 1 ТБ |
| Форм-фактор | M.2 |
| Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем | 3D TLC NAND |
| Контроллер | Samsung Polaris |
| Размеры устройств M.2 | 2280 | Технические характеристики |
| Скорость последовательного чтения | 3200 Мбайт/с |
| Скорость последовательной записи | 1900 Мбайт/с |
| Кэш | DRAM-буфер |
| Средняя скорость случайного чтения | 380000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи | 360000 IOps |
| Аппаратное шифрование | ✔️ |
| Энергопотребление (чтение/запись) | 5 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) | 1.2 Вт |
Отзывов пока нет!
![SSD Samsung 960 Evo 1TB [MZ-V6E1T0BW] - 1/1](https://cdn.pricebox.pro/files/images/1737838041-175e6f1c6d45521acc7ec36293b27423.jpg)