1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.2), контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 440000/360000 IOps, DRAM-буфер
Общая информация | |
---|---|
Дата выхода на рынок | 2016 | Основные |
Объём | 1 ТБ |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 |
Тип микросхем | 3D MLC NAND |
Контроллер | Samsung Polaris |
Размеры устройств M.2 | 2280 | Технические характеристики |
Скорость последовательного чтения | 3500 Мбайт/с |
Скорость последовательной записи | 2100 Мбайт/с |
Кэш | DRAM-буфер |
Средняя скорость случайного чтения | 440000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 360000 IOps |
Аппаратное шифрование | ✔️ |
Энергопотребление (чтение/запись) | 5.3 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 1.2 Вт |
Толщина | 2.38 мм |
Отзывов пока нет!