2016 г, Broadwell, LGA2011-3, частота 2.9/2.2 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 14 нм, поддержка DDR4, TDP 105W
| Общая информация | |
|---|---|
| Дата выхода на рынок | 2016 | Технические характеристики |
| Сокет | LGA2011-3 |
| Модельный ряд | Xeon |
| Количество ядер | 12 |
| Встроенная графика | Нет |
| Тип поставки | OEM |
| Кодовое название кристалла | Broadwell |
| Базовая тактовая частота | 2.2 ГГц |
| Максимальная частота | 2.9 ГГц |
| Многопоточность ядра | Да |
| Расчетная тепловая мощность (TDP) | 105 Вт |
| Охлаждение в комплекте | Нет |
| Техпроцесс | 14 нм |
| Кэш L3 | 30 МБ |
| Поддержка памяти | DDR4 |
| Количество каналов памяти | 4 |
| Встроенный контроллер PCI Express | PCI Express 3.0 |
Отзывов пока нет!