2016 г, Broadwell, LGA2011-3, 8 ядер, 8 потоков, частота 1.7 ГГц, кэш 20 МБ, техпроцесс 14 нм, поддержка DDR4, TDP 85W
Общая информация | |
---|---|
Дата выхода на рынок | 2016 | Технические характеристики |
Сокет | LGA2011-3 |
Модельный ряд | Xeon |
Количество ядер | 8 |
Количество потоков | 8 |
Встроенная графика | Нет |
Тип поставки | BOX |
Кодовое название кристалла | Broadwell |
Базовая тактовая частота | 1.7 ГГц |
Многопоточность ядра | Нет |
Расчетная тепловая мощность (TDP) | 85 Вт |
Техпроцесс | 14 нм |
Кэш L3 | 20 МБ |
Поддержка памяти | DDR4 |
Количество каналов памяти | 4 |
Встроенный контроллер PCI Express | PCI Express 3.0 |
Отзывов пока нет!