2023 г, Sapphire Rapids, LGA4677, 10 ядер, 20 потоков, частота 4.6/3.1 ГГц, кэш 26.25 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5, TDP 210W
| Общая информация | |
|---|---|
| Дата выхода на рынок | 2023 | Технические характеристики |
| Сокет | LGA4677 |
| Модельный ряд | Xeon |
| Количество ядер | 10 |
| Количество потоков | 20 |
| Встроенная графика | Нет |
| Тип поставки | OEM |
| Кодовое название кристалла | Sapphire Rapids |
| Базовая тактовая частота | 3.1 ГГц |
| Максимальная частота | 4.6 ГГц |
| Многопоточность ядра | Да |
| Расчетная тепловая мощность (TDP) | 210 Вт |
| Охлаждение в комплекте | Нет |
| Техпроцесс | 10 нм |
| Кэш L3 | 26.25 МБ |
| Поддержка памяти | DDR5 |
| Количество каналов памяти | 4 |
| Встроенный контроллер PCI Express | PCI Express 5.0 |
Отзывов пока нет!