• Оперативная память Samsung 128ГБ DDR4 3200 МГц M386AAG40BM3-CWE - 1/1
    • Оперативная память Samsung 128ГБ DDR4 3200 МГц M386AAG40BM3-CWE - 1/1

    Оперативная память Samsung 128ГБ DDR4 3200 МГц M386AAG40BM3-CWE

    0
    (0)
    01
    3051.10 BYN
    нет предложений

    128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

    Основные
    Тип DDR4 DIMM Registered
    Общий объем 128 ГБ
    Набор 1 модуль
    Частота 3200 МГц
    CAS Latency 22T
    PC-индекс PC4-25600
    ECC Да
    Напряжение питания 1.2 В
    Конструкция
    Охлаждение
    Низкопрофильный модуль
    Подсветка элементов платы Нет
    Цвет зеленый
    Технические характеристики
    Профили XMP
    Поддержка AMD EXPO
    Количество ранков 4
    Ёмкость микросхем 32 Гбит
    Тип микросхем 8Gx4

    Отзывов пока нет!