• Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A5244CB0-CTD - 1/1
    • Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A5244CB0-CTD - 1/1

    Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A5244CB0-CTD

    0
    (0)
    01
    Бесплатно
    нет предложений

    4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

    Основные
    Тип DDR4 SO-DIMM
    Общий объем 4 ГБ
    Набор 1 модуль
    Частота 2666 МГц
    CAS Latency 19T
    PC-индекс PC4-21300
    ECC Нет
    Тайминги 19-19-19
    Напряжение питания 1.2 В
    Конструкция
    Охлаждение
    Низкопрофильный модуль
    Технические характеристики
    Профили XMP
    Расположение чипов одностороннее
    Количество ранков 1
    Число микросхем 4
    Ёмкость микросхем 4 Гбит
    Тип микросхем 256Mx16

    Отзывов пока нет!